Điốt laser DFB 1030nm Nhà sản xuất

Kể từ khi Maman thu được đầu ra xung laser lần đầu tiên vào năm 1960, quá trình nén độ rộng xung laser của con người có thể được chia thành ba giai đoạn: giai đoạn công nghệ chuyển mạch Q, giai đoạn công nghệ khóa chế độ và giai đoạn công nghệ khuếch đại xung chirped. Khuếch đại xung chirped (CPA) là một công nghệ mới được phát triển để khắc phục hiệu ứng tự lấy nét được tạo ra bởi các vật liệu laser ở trạng thái rắn trong quá trình khuếch đại laser femto giây. Đầu tiên, nó cung cấp các xung cực ngắn được tạo ra bởi các tia laser khóa chế độ. "Âm chirp tích cực", mở rộng độ rộng xung thành pico giây hoặc thậm chí nano giây để khuếch đại, sau đó sử dụng phương pháp bù chirp (âm chirp) để nén độ rộng xung sau khi thu được đủ năng lượng khuếch đại. Sự phát triển của tia laser femto giây có ý nghĩa to lớn.

Photodiode thường được sử dụng làm bộ tách sóng quang. Những thiết bị như vậy chứa một đường giao nhau p-n và thường có một lớp bên trong giữa các lớp n và p. Các thiết bị có lớp bên trong được gọi là đi-ốt quang loại PIN. Lớp cạn kiệt hoặc lớp bên trong hấp thụ ánh sáng và tạo ra các cặp electron-lỗ trống, góp phần tạo ra dòng quang. Trong một dải công suất rộng, dòng quang điện tỷ lệ thuận với cường độ ánh sáng được hấp thụ.

Tại Triển lãm Thế giới Laser ở Munich, Trumpf, nhà sản xuất laser công nghiệp hàng đầu thế giới, đã trình bày một giải pháp hệ thống sáng tạo được thiết kế để cải thiện chất lượng và hiệu quả của các quy trình hàn laser. Giải pháp tích hợp nhiều cảm biến để theo dõi các điểm chính trong quá trình hàn trong thời gian thực.

Laser là thiết bị tạo ra tia laser và là một trong những thành phần cốt lõi của thiết bị ứng dụng laser. Là thành phần cốt lõi của công nghệ laser, laser được thúc đẩy mạnh mẽ bởi nhu cầu hạ nguồn và có tiềm năng tăng trưởng to lớn cũng như các kịch bản ứng dụng rộng rãi.